A nemrég felfedezett memrisztor néven ismert nano-ionic eszközök nagyméretű áramkörökben történő alkalmazása függ előfeszített állapotban történő viselkedésének pontos modellezhetőségtől. Jelenleg az összes elérhető memrisztor SPICE modell csak a nem-volatilis karakterisztikát veszi figyelembe. A legújabb gyakorlati ReRAM-mal kapcsolatos tanulmányok volatilis jelenségeket is bemutatnak, ezért elengedhetetlen, hogy ez a viselkedés is megjelenjen a modellezésben. Ebben a cikkben egy olyan új memrisztor SPICE modellt mutatunk be, ami figyelembe veszi mind a volatilis, mind a nem volatilis hatásokat. A modell több szimulaciós eseten keresztül kerül bemutatásra, valamint az eredmények TiO2 ReRAM eszköz mérési eredményeivel is össze vannak vetve.
Berdan, R., Lim, C., Khiat, A., Papavassiliou, C. and Prodromakis, T. (2013) A memristor SPICE model accounting for volatile characteristics of practical ReRAM. IEEE Electron Device Letters.
Berdan, R., Lim, C., Khiat, A., Papavassiliou, C. and Prodromakis, T. (2013) A memristor SPICE model accounting for volatile characteristics of practical ReRAM. IEEE Electron Device Letters.
